碳化硅晶片和硅晶片的区别

目前碳化硅晶片主要是4英寸和6英寸，而用于功率器件的硅片主要是8英寸，这意味着碳化硅晶片生产的芯片较少，碳化硅芯片的制造成本较高。

基本介绍:

在已开发的宽带隙半导体中，碳化硅(SiC)半导体材料是最成熟的一种。SiC半导体材料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率和较小的体积，在高温、高频、大功率、光电子和抗辐射器件方面具有巨大的应用潜力。

碳化硅的应用范围很广:由于它的带隙很宽，可以用来制作几乎不受太阳光影响的蓝光二极管或紫外探测器；由于它所能承受的电压或电场是硅或砷化镓的8倍，因此特别适合制造高压二极管、功率三极管、大功率微波器件等高压大功率器件。

由于其饱和电子迁移速度高，可制成各种高频器件(射频和微波)；碳化硅是热的良导体，其导热性优于其他任何半导体材料，这使得碳化硅器件在高温下也能正常工作。