氮化镓市场来了，国内哪些企业在布局？
事实上，随着半导体技术的不断进步，对半导体器件的性能、效率和小型化的要求越来越高，传统的硅半导体材料逐渐不能满足性能要求。碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料目前已经成为世界竞相布局的焦点。在加快发展集成电路产业的同时，中国已将发展第三代半导体技术纳入国家战略。
现在5G时代的到来将推动半导体材料的革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能的特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，国内目前有哪些企业在布局？国内氮化镓企业主要从以下几类来数:衬底、外延片、制造、IDM。
GaN衬底企业
东莞中佳半导体科技有限公司
东莞中瓜半导体科技有限公司成立于2009年6月，总部位于广东东莞，注册资本总额654.38+0.3亿元人民币，厂房及办公面积* * * 654.38+0.7000多平方米，北京大型R&D中心。是国内专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中瓜半导体已建成国内第一条专业氮化镓衬底材料生产线，并制备了厚度为1100微米的自支撑GaN衬底，可稳定生产。2065438+2008年2月，中瓜半导体实现4英寸GaN自支撑衬底试产。
东莞中晶半导体科技有限公司
东莞中晶半导体科技有限公司成立于2010，是广东光大企业集团继中瓜半导体、中图半导体之后，在半导体领域的第三个重点产业化项目。
中冶以HVPE设备、GaN衬底等精密半导体设备制造技术为基础，重点发展Mini/MicroLED外延和芯片技术，并向新型显示模组方向延伸。同时，基于GaN衬底材料技术，中冶将孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模块、激光封装模块等国际前沿技术，进行全球产业布局。
苏州纳威科技有限公司
苏州纳维科技有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发和产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产，完成了4英寸产品的工程技术开发，突破了6英寸的关键技术。现在是世界上为数不多的可以批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位。
官网显示，目前，纳威泰克的GaN单晶衬底产品已提供给300多家客户，正在增加产能，向企业应用市场发展。重点突破方向为蓝绿半导体激光器、大功率电力电子器件、高可靠性大功率微波器件等重大领域。
佳特半导体科技(上海)有限公司
盖特半导体科技(上海)有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸优质低价氮化镓衬底的生长，以促进众多半导体企业以合理的价格采购和使用氮化镓衬底。Gate Semiconductor自主研发了HVPE设备，并用于生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，GaTe Semiconductor借助自主研发的HVPE设备，成功生长出4英寸自支撑氮化镓衬底。盖特半导体表示，未来几年将建设全球最大的氮化镓衬底生长基地，以进一步推动氮化镓衬底在半导体材料市场的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底研发制造中下游高端led、电力电子等器件。
GaN外延片企业
苏州詹静半导体有限公司
苏州詹静半导体有限公司成立于2012年3月，致力于GaN外延材料的研发和产业化。2013年8月，詹静半导体开始在苏州纳米城建设gan外延材料生产线，年产150mm GaN外延片2万片；2014年底，詹静半导体发布了其商用8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网称，截至目前，詹静半导体已完成B轮融资扩大生产规模，150mm GaN-on-Si外延片月产能达到10000片。詹静半导体现在拥有超过150家客户，他们来自世界各地著名的半导体公司和研究机构。
巨能晶源(青岛)半导体材料有限公司
巨能晶源(青岛)半导体材料有限公司成立于2065438+2008年6月，专注于电力电子应用的外延材料生长。针对外延材料市场，聚能晶源正在研发硅基氮化镓材料生长技术，并将硅基氮化镓外延材料作为产品销售。
2018-12，聚能晶源成功研制出达到全球行业领先水平的8英寸GaN-on-Si外延片。该类型外延片实现了650V/700V的高耐压，同时保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性和高可靠性，完全可以满足工业上高压电力电子器件的应用要求。
北京世纪广金半导体有限公司
北京世纪广金半导体有限公司成立于2010年2月。经过多年的发展，广金已经成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块研发、设计、生产、销售为一体，贯穿第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域，广金实现了碳化硅的全产业链，而在氮化镓方面，官网显示以氮化镓外延片为主。
巨力成半导体(重庆)有限公司
巨力成半导体(重庆)有限公司成立于2018年9月。是重庆捷顺科技有限公司在大足区设立的公司。2065438+2008年9月，重庆市大足区政府与重庆捷顺科技有限公司签约，在重庆建设“聚利成外延片及芯片生产线项目”。
2018 165438+10月，巨力成半导体(重庆)有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元。将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片研发、生产、封装测试、产品设计、应用于一体的全产业链基地。2019年6月5日，一期工程正式开建，预计今年6月10开始外延片量产。
甘制造企业
成都海威华信科技有限公司
成都海威华信科技有限公司成立于2010，是国内首家提供6英寸GaAs/GaN微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华信是由海特高新和29家国有电力公司联合组建的。2065438+2005年65438+10月，海特高新以5.55亿元收购海威华信原股东股权，并以增资方式收购海威华信52.95438+0%股权为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研发。
海威华信6英寸第二/三代半导体集成电路芯片生产线已于2065438+2006年8月投入试生产。官网显示，海威华信开发了基站氮化镓代工技术和6GHz以下5G中频段手机砷化镓代工技术，发布了毫米波频段0.15um砷化镓代工技术。用于电力电子的Gaas VCSEL激光技术和硅基氮化镓制造技术也在2019取得了很大进展。
厦门三安集成电路有限公司
厦门三安集成电路有限公司成立于2014，是LED芯片制造公司三安光电的子公司，基于氮化镓和砷化镓技术运营。是专业从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、电力电子、光学等市场，具备衬底材料、外延生长、芯片制造的产业集成能力。
三安一体化项目规划总用地面积281亩，总投资30亿元。规划产能为年产30万片GaAs高速半导体外延片、30万片GaAs高速半导体芯片、6万片GaN大功率半导体外延片和6万片GaN大功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波和射频领域建成了专业化、规模化的4英寸和6英寸复合晶圆制造生产线，在电子电路领域推出了高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管和硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团的子公司，负责微电子业务的投资、开发和管理。也是国内具有重要影响力的综合性微电子企业。它专注于模拟和功率半导体，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试和分立器件。目前拥有5条6-8英寸晶圆生产线，2条封装生产线，1掩膜生产线，3家设计公司，在国内拥有完整的半导体产业链。
2017，12，华润微电子完成对AVIC(重庆)微电子有限公司(后更名为“华润微电子(重庆)有限公司”)的收购。重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术生产芯片，在主生产线外建设了独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件的规模化生产能力。
杭州石兰微电子有限公司
杭州兰斯微电子有限公司成立于1997，专业从事集成电路芯片设计和半导体相关产品制造。2001，在杭州建成第一条5寸芯片生产线，现已成为中国IDM企业。
近年来，士兰威逐步布局第三代化合物功率半导体。2017，士兰威开通6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。6月，2018、12英寸芯片生产线暨厦门世兰威先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通信器件和高端LED芯片。
甘IDM公司
苏州能迅高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽带隙半导体氮化镓电子器件的技术和产业化，为5G移动通信、宽带通信、工控、电源、电动汽车两大领域提供高效的半导体产品和服务。
能讯半导体采用集成设计制造(IDM)模式，自主研发氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性和应用电路技术。目前，公司拥有256项专利。公司在江苏建设了氮化镓(GaN)电子器件工厂，占地55亩，累计投资6543.8+0亿元。
江苏能化微电子科技发展有限公司
江苏能化微电子科技发展有限公司成立于2010年6月。是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔，留美、澳、日归国团队创办的高科技公司。专业设计、研究、生产、制造和销售以氮化镓为代表的高性能复合半导体晶片及其制作的功率器件、芯片和模块。
能化微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项大功率GaN电力电子器件及材料产业化项目，国家战略性先进电子材料重点研发计划重点项目基于GaN的新型电力电子器件关键技术项目。2017年，能化微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线，并正式投入使用。
英诺赛克(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司成立于2065438+2005年2月。公司采用IDM全产业链模式，致力于打造集R&D、设计、外延生长、芯片制造、测试、失效分析于一体的第三代半导体生产平台。20117年10月，inno seco 8英寸硅基氮化镓生产线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线。其主要产品包括30V-650V氮化镓功率和5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的Innoseco苏州半导体芯片项目开工。今年8月30日，项目主厂房封顶。预计生产设备将于18年6月底正式入厂，2020年可实现量产。该项目聚焦氮化镓、碳化硅等核心产品，将成为集R&D、设计、外延生产、芯片制造、分封装测试为一体的第三代半导体产业链R&D和生产平台。
大连新冠科技有限公司
大连新冠科技有限公司成立于2065438+2006年3月。公司采用集成设计制造(IDM)的业务模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料和电力电子器件的研究、设计、生产和销售。产品用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车和工业电机驱动。
官网称，新冠科技已建成国内首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2065438+2009年3月，新冠科技在国内率先推出650伏硅基氮化镓功率器件(通过1000小时HTRB可靠性测试)，并正式投放市场。
江苏华工半导体有限公司
江苏华工半导体有限公司成立于2065438+2006年5月，注册资本2亿元，首期投资10亿元。官网称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高导电、耐高压、高稳定性的GaN外延技术，掌握了具有自主知识产权的增强型电力电子器件制造技术。
根据官网介绍，华工半导体可以提供2英寸、4英寸、6英寸、8英寸GaN-on-Si功率电子器件的外延片产品，并基于华工自主知识产权的GaN-on-Si外延技术进行设计制造，提供650V/5A-60A系列高速功率器件。
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