中国十大氮化镓生产企业

1，中国苏州能讯

能讯半导体成立于2007年，采用集成设计与制造(IDM)模式，自主研发氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性和应用电路技术。

主要产品:GaN射频功率晶体管，无线通信GaN射频功率放大管，GaN HEMT管。

核心技术及应用:能讯GaN功放管产品在宽带信号下具有高输出效率和高增益，应用简单，适用于LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。

氮化镓HEMT芯片可以支持客户在DC-6GHz范围内的超宽带应用，具有业界领先的功率密度、效率和可靠性，适用于紧凑型RF放大器模块以及通用或个人通信子系统。

2.苏州詹静

成立于2012，位于苏州纳米城，致力于GaN外延材料的研发和产业化。？截至目前，詹静半导体已完成A+轮融资，扩大生产规模。

产品:硅上氮化镓，碳化硅上氮化镓，蓝宝石上氮化镓。

技术与应用:硅基、蓝宝石基、碳化硅基氮化镓外延片产品具有极高的电子迁移率和二维电子气浓度，以及极小的缓冲层泄漏。用于微波射频和电力电子；目前可以提供6英寸和8英寸的硅基氮化镓晶圆材料。

3.珠海创新科技

成立于2015、12，引进美国Innoseco公司SGOS技术。

产品:单管氮化镓场效应管，半桥氮化镓场效应管，氮化镓集成电路。

技术与应用:8英寸硅基氮化镓产业化平台，拥有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造，以及自身的可靠性测试和失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能和新能源汽车。

4.重庆华润微

公司成立于2000年，是2065438+2008中国十大半导体企业中唯一一家，主要以IDM模式运营。

产品:8英寸硅基氮化镓生产线，国内首台8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用:专注于功率半导体和智能传感器领域，为客户提供一系列半导体产品和服务。

5.杭州斯兰威

成立于9月，1997，总部位于中国杭州。

2003年上市产品:国内某知名IDM企业建成6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6.重庆巨力城

我们成立于2065438+2008年9月，在重庆大足区建立了GaN-on-Si外延片基地。

产品:GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延片材料，GaN功率器件。

技术与应用:目前，GLC正在重庆大足区建设GaN-on-Si外延片厂一期工程。现在外延片已经进入量产阶段。整个项目拟建设年产654.38+20万片GaN外延片生产线和年产36万片GaN芯片生产线。

7.台湾集成电路制造业

成立于1987和2019，太极公司及其子公司拥有和管理的年生产能力超过1200万片12英寸晶圆。

产品工艺:6英寸氮化镓硅。

8.三安集团

成立于2000年6月，11，位于厦门。

产品:650伏0.5微米氮化镓/硅，200伏/100伏0.5微米氮化镓/硅。

技术和应用:三安集成GaN e-HEMT技术服务于消费和工业应用，如适配器/充电器、电信/服务器smp、无线电源、车载充电器(OBC)和经济高效的解决方案。

9.苏州捷信威

成立于2013，海归创办于苏州工业园区，捷信威子公司在氮化镓电力电子技术领域拥有100多项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；该地区涵盖中国、美国、欧洲和日本。

产品:硅基氮化镓电力电子器件和蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用:650V GaN FET，BVds≥650V，IDS > 10A，导通电阻Ron < 0.15ω。它可用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电力传输、电源适配器、无线电源和快速充电。

单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，导通状态下导通电阻低于1ω，关断状态下泄漏低于1uA/mm。

10，大连芯冠

2016 3月17成立于大连高新区，公司采用一体化设计制造(IDM)的商业模式。

产品:硅基氮化镓外延片，硅基氮化镓功率电子器件。

技术与应用:建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2065438+2009年3月，新冠科技在国内率先推出650伏硅基氮化镓功率器件(通过1000小时HTRB可靠性测试)，并正式投放市场。