王守武的主要经历
王守武(1919年3月15 -2014年7月30日)，江苏苏州人，半导体器件物理学家、微电子科学家，中国半导体科学技术的开拓者和奠基人之一。
王守武1941同济大学毕业，1945赴美留学，1949获美国普渡大学博士学位，1979获全国劳动模范称号；1980当选中国科学院院士。
主持研制成功中国第一台GaAs半导体激光器；他主持研制成功4000位、16000位DRAM LSI，为我国半导体材料、半导体器件和LSI的研发做出了重要贡献。。
中文名:王守武。
国籍:中国。
民族:汉族
出生地:江苏省苏州市
出生日期:1919年3月15。
死亡日期:2065438+2004年7月30日
职业:教学科研工作者
毕业院校:同济大学
主要成果:1980当选中国科学院院士。
代表作:半导体中的电子伏打效应理论。
角色的生活
1919年3月15日，王守武出生于江苏省苏州市东山镇。小时候经常被疟疾纠缠，身体状况不佳，智力一度受到影响。上学后，频繁的病假和持续的自习，让王守武养成了沉默寡言、内向的性格和善于独立思考的习惯。
1923年，他4岁的时候，父亲和别人去上海办了一个机械厂，家也搬了。不到两年，工厂倒闭，家里分发了很多加工工具，让王守武在家里学会了钳工配钥匙、修家电、绕变压器等技能，培养和磨练了他的动手能力。工作之余，他热爱数学的父亲经常给孩子讲一些有趣的数学，或者给孩子一些智力测验来回答。王守武听了父亲关于如何和兄弟姐妹一起找到圆周率的问题。虽然他不懂，但无理数“π”的特性却一直印在他的脑海里。
1930在王守武私立智敏中小学就读的王守武在《智敏》第11期发表了一篇短文《我们现在和未来的责任》。
1934年，父亲从北平中央研究院工程研究所退休后回到上海。因为对家乡的怀念，他家搬回了苏州。王守武也转到省立苏州中学读书。
1935年，王守武考入同济大学预科，次年进入工学院机电系。在同济大学，王守武各科学习顺利，成绩优异。
1937年，日本帝国主义发动全面侵华战争，战火很快蔓延到上海。8月，日军飞机接连轰炸吴淞地区，同济大学的建筑被毁。学校被迫从吴淞迁到上海公共租界，不久上海战事愈演愈烈，随后学校数次搬迁。由于家乡苏州沦陷，王守武一度与逃亡的父母失去联系。因为他不知道什么时候能和家里联系上，只能把手里的钱存起来。他一般在人力车夫和底层老百姓吃饭的小摊上吃饭。1941年春，同济大学第六次迁至四川宜宾李庄镇。在颠沛流离的过程中，王守武结束了他的大学学习。
1941年春，王守武从昆明市郊的同济大学临时校舍毕业后，成为昆明的一名公务员，他的哥哥王守敬是那里的总经理。一年后，他加入中国共和翻沙实验厂，任工务主任。实习结束后，不善言辞的王守武觉得自己不适合工厂管理，于是申请回到母校任教，该校已迁至四川李庄。
1945 10，王守武漂洋过海，进入美国印第安纳州普渡大学研究生院学习工程力学，师从R.M.Sturm，次年6月获得硕士学位。王守武各科成绩优异，尤其是数学，受到老师和同学的表扬。为了鼓励王守武继续深造，学校资助他攻读博士学位。这时，新兴的量子力学引起了王守武的兴趣，他从工程力学转向研究微观粒子的运动规律，并以H.M .詹姆斯为导师。两年后，王守武完成了题为《计算钠金属结合能和压缩系数的新方法》的论文，获得博士学位。普渡大学工程力学系主任任命后，留校任教。此时，他和同样就读于普渡大学的葛秀怀女士组成了一个温馨的家庭，过着安静舒适的生活。
1949年2月至1950年8月在普渡大学任教。
1950年6月25日，朝鲜战争爆发。王守武以“回乡服寡母”为由，提交了回美国的申请。获批后，在印度驻美大使馆的协助下，很快办完了离美手续。夫妻俩于5438年6月+同年10月，带着不满一岁的女儿离开美国回到家乡。
1950 10月，去深圳经香港回国。同年6月11起，受聘于中国科学院应用物理研究所。
1950年底，王守武刚刚踏上祖国的土地，上级就交给他一项紧急任务:为抗美援朝前线的志愿军运输队设计一种特殊的车灯和路标，让祖国“最可爱的人”在朝鲜前线夜间行驶，不被敌机发现，不被轰炸。渴望报国的王守武立即组织他所在的应用物理研究所科研人员进行设计和生产。他根据光线在锥面上定向反射的原理，使路标上专门设计的车灯反射的光线只能射向驾驶员的眼睛，从而避免了敌机发现的可能。设计完成后，进行了现场试验，圆满完成了任务。
1951年5月，西藏和平解放后，当地政府发现藏民极度缺乏燃料和能源，但高原阳光明媚，于是向中科院提出请求，为他们设计制造太阳灶。受命负责这项设计任务的王守武考虑到大面积抛物面反射镜的制造难度较大，决定采用由多个窄锥反射镜组成的反射系统。通过调节每个锥面的倾斜度，平行于主轴方向的光被反射到太阳灶的中心。设计成功后，它可以在15分钟内烧开一壶水。这种太阳灶在青藏高原已经发挥作用很久了。
1953年春，中国科学院派员赴苏联考察苏联科研进展。回国后，代表团访问了苏联，报道了苏联在半导体科技方面的巨大成就和快速进步。这些信息使中国科学家，特别是物理学家进一步认识到半导体科学技术在社会主义建设事业中的重要性，应该大力推动这项工作。因此，中国物理学会常务理事会决定于6月底召开全国半导体物理学术讨论会1955+0。
1954年，王守武作为研讨会筹备组成员，与同期回国的黄昆、洪、唐定远合作，翻译了苏联半导体权威学者A.F .约菲所著《近代物理中的半导体》一书，由科学出版社于1955年出版。65438到0955，黄昆在北大物理系开了半导体物理这门课，这门新课程也是他们四个教的。1956 1这四位专家与后来回国的专家一起，在物理学会年会上对“半导体”进行了多方面的介绍，希望引起有关方面的重视。王守武报告的题目是“半导体整流器”和“半导体的电子伏打效应理论”。
在此期间，作为半导体科学的开山之作，王守武开展了硒和氧化亚铜整流器的制造条件和性能研究，并从理论上分析了半导体整流器的一些性能。其研究成果已发表在《中国物理杂志》上。
1956-1957期间，王守武任清华大学无线电系半导体教研室主任。
1956是王守武科研的一个关键转折点。因为就在这一年，王守武被邀请到京西宾馆，参与周恩来总理主持的《国家十二年科技发展远景规划》的讨论和制定。在确定的57个重大科技项目中，发展半导体科技被列为四大应急措施之一。为了执行这一紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德、王守武等知名学者对培养人才、从事开拓性研究进行突击。深知这项工作的重要性，王守武毅然中断其他科研项目，投身于半导体的研究，组建了中国第一个半导体实验室——中国科学院应用物理研究所。
1957年，林兰英回国，王守武亲自到她下榻的宾馆，动员她到半导体工作组工作，担任材料研究组组长，实施硅单晶的绘制方案。在王守武和林兰英的共同努力下，1965年7月，中国第一块硅单晶问世。为了推动我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究，在王守武和有关同志的领导下，1958年成立了我国最早的晶体管厂——中国科学院109厂，从事锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备困难的情况下，组织全厂作战。到1959年底，为109 B计算机的研制提供了12个品种、145千多个锗晶体管，完成了所需的器件生产。
1958年8月，在王守武带领器件组的王守爵从苏联留学归来，促成了半导体“合金”和“扩散”的双重工艺，推动了晶体管发展在提高工作频率上的飞跃，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的研制。
1957年春，林兰英教授从美国回来，被任命为半导体实验室材料研究组组长。在她的领导下，重新设计了拉制硅单晶的炉子。在王守武和林兰英的共同努力下，以林兰英从国外带回来的硅单晶为籽晶，于1958年7月，我国第一颗硅单晶问世。
1958年，王守武领导建立了中国最早的晶体管工厂——中国科学院109厂。工厂一建立，锗高频晶体管就马上开始量产。在人员和设备困难的情况下，他组织全厂全力以赴。到1959年底，他已为计算技术研究所研制109 B计算机提供了12多个品种、145千只锗高频合金扩散晶体管，完成了机器所需半导体器件的生产任务，及时为两弹一星任务提供了技术保障。
1960年4月，王守武被任命为中国科学院半导体研究所筹建委员会副主任。
1960年9月6日，在原应用物理研究所半导体研究室的基础上正式成立半导体研究所，任命王守武为第一业务副所长，负责科研业务管理和开拓分支机构的建立。
65438-0962年，根据国家科委的决定，王守武在半导体所成立了国家半导体测试中心，并兼任中心主任。
从1960到1983，王守武是中国科学院半导体研究所研究员、副所长。
1960年2月，王守武加入中国。
1963年，王守武建立了激光实验室，并担任主任。当时，在林兰英研究员的带领下，半导体所材料研究室成功研制出砷化镓单晶材料，从而使从事半导体砷化镓激光器的研发成为可能。在当时的实验室条件下，很难用X射线对单晶进行定向。王守武创新了光学定向的新方法，大大加快了研制进程，提高了各道工序的良率。在王守武的带领下，实验室于1964年元旦前夕成功研制出我国第一台半导体激光器。
1968年春天，时任科委领导专门让王守武紧急完成一项从越南战场带回来的武器解剖任务。王守武毫不犹豫地登上了去Xi安的航船。文化大革命后期，周恩来总理号召“重视基础理论研究”。面对半导体所基础理论研究队伍遭到“文革”严重破坏的困难局面，王守武积极行动，开始了基础理论研究，对耿氏器件中新发现的畴的雪崩弛豫振荡进行了深入研究。基于这项工作，论文于1975在美国物理学会年会上宣读，受到国外同行的好评，并于当年发表在《中国科学》杂志上。在此基础上，他开始利用计算机模拟技术分析耿氏器件中的高场畴动力学，取得了一系列成果，发表了多篇论文。
1978 10，中科院主要领导同志把王守武请到办公室，要他出去改变现状，全面负责大规模集成电路4000位MOS随机存储器的研究。
65438-0973，王守武牵头开展半导体激光器高场畴动力学和畴雪崩研究。65438-0978，主导半导体大规模集成电路及其工艺的研发。
1980年，春节刚过，上级让王守武到中科院109担任厂长，推广4000个大规模集成电路，搞大规模集成电路生产实验，提高良品率，降低成本。1985获中国科学院科技进步二等奖。
1980年3月至1985年2月，王守武还兼任中科院109厂厂长。1980当选中国科学院院士(院士)，开始担任《半导体学报》主编。
1986 65438+10月，在王守武的倡议下，上级将半导体所从事大规模集成电路研究的整个团队并入109厂，组建中科院“微电子中心”。王守武，年事已高，被任命为中心终身名誉主任。王守武从此离开了现在的工作，专门从事学术研究。
2014年7月30日6: 06，王守武在美国逝世，享年95岁。
主要成就
科研成果
中国第一家晶体管厂建于1958年。从1963开始，他致力于GaAs激光器的研究，创造了简单的光学定向方法，并推动了我国第一台GaAs激光器的研制成功。1973以来，在领导GaAs高场畴动力学和PNPN负阻激光器瞬态及光电特性研究过程中，提出了一些独到的学术观点。从65438年到0978年，他带领科技人员进行了提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片成品率显著提高，成本大幅降低。
1979年，由于4000位MOS动态随机存储器的研制成功，“提高N沟道MOS4096×1位DRAM的die良率研究”获得中科院一等奖1980年，由于“16K位MOS动态随机存储器”的研制成功，获中国科学院重大科技成果奖一等奖，1985大规模集成电路生产工艺试验线建设成功获中国科学院科技进步二等奖，参与指导半导体双稳态激光器研究获中国科学院科技进步二等奖， 以及1987参与世界新技术革命与中国对策研究获科学院科技进步奖二等奖。
人员培训
1958年，以中国科学院院长郭沫若为首的中国科学技术大学成立。王守武任物理系(二部)副主任兼半导体专业主任，给高年级学生讲授半导体物理(二)至1980。在此期间，学校半导体专业的教学内容和科研方向由王守武安排制定，包括安排学生去半导体研究所实习和毕业论文。他的努力取得了丰硕的成果，他的许多学生现在已经成为半导体技术领域的支柱人才。
荣誉表彰
1979获全国劳动模范称号；1980当选中国科学院院士。
社会公益服务
个人生活
1919、王守武出生于苏州东山名门莫_王。其祖父王是晚清著名的史学家、文学家，主张经世致用。他的祖母谢昌达是苏州著名的女权运动先驱。她曾组织过宣传妇女解放独立的动员会，与人合办振华女校。
王守武的父母都是好学之人，几乎都是中国近代科学早期的先驱人物。王继烈叔叔是清末民初的物理教育家。他翻译和编写了许多科学教科书，是最早提倡用“物理学”来翻译西方语言中的物理一词的人。王继典大叔毕业于东京工业大学应用化学系，热心于“实业救国”。曾创办火柴公司、北京玉泉酿造公司，担任董事长，参与技术指导。王叔叔是我国最早的机械工程专家之一。曾在北京大学、北平工学院任教，并担任北洋大学工程学院代理院长。王守武的姑姑们也接受了现代教育。他们或留学日本、美国，或考上清华等名校。王阿姨Ji _1918在美国芝加哥大学获得博士学位，是中国第一位女博士。
在家庭教育上，王守武受父亲王季同影响很大。他的父亲王季同在机械工程和数学方面造诣很高。曾以清政府欧洲留学生监理处随员身份赴英，在英国电气公司和德国西门子电机厂实习。迄今为止，中国学者最早在国际学术刊物上发表近代数学论文，参与中央研究院筹备工作，后来在工程研究所担任专职研究员，直至退休。
王守武还记得父亲告诉我们怎么求圆周率，自然对数，对数的底数。王季同曾经从二手摊上买过一台旧手摇电脑。他给孩子们演示了如何用它来计算，比如如何计算自然对数的底数E。王家的孩子大多天资聪颖。王吉出智力测试题时，哥哥姐姐们常常抢着答，而王守武体弱多病，不爱说话。那时候在哥哥姐姐们眼里，他就是个木哥哥。其实数学的种子已经深深埋在了这个“傻孩子”的心里。中学的时候，王守武完成了一篇关于圆周率的数学论文。
王家有各种加工工具和材料，孩子们一起配钥匙，修理家用电器，风力变压器，连接简单电路，制作电磁铁等等。在这样的家庭氛围中，王家的孩子后来也取得了很大的成就。王守武有12个兄弟姐妹，其中5个英年早逝，长成了7个。除了王守武、王守爵两位中科院院士外，其中还有与林齐名的中国妇产科学奠基人之一、留美医学博士。有王守敬，中国第一位在1928获得哥伦比亚大学哲学博士学位的学者，在研究量子力学方面有很大成就。有王明贞，中国著名的最早的女物理学家之一，清华大学第一位女教授。
在获得博士学位之前，1948年5月，王守武与三年同学葛秀怀女士结婚。结婚后，中国学生经常来王家家聚会。当时在普渡读书的邓稼先是王守武家的常客之一。总部设在芝加哥的中国留美科学家协会在普渡成立了一个分会。邓稼先是普渡分会的干事之一，所以王守武参加了科协留美的活动。
性格评估
在我国半导体界享有崇高威望的半导体物理学家和微电子科学家王守武，以发展我国半导体科学为己任，并为此奋斗终生。
他高瞻远瞩，富有开拓精神，勇于以发展国民经济和增强综合国力为出发点，探索新领域，赢得新成就；他对工作非常认真，一丝不苟，重视实践，注重实效，严格遵循科学规律；他忠厚老实，待人热情谦和；他的风格是民主和平易近人的。无论是在学术讨论中，还是做其他工作时，他总是谦虚谨慎，平等待人，谈名利。像他的科学成就一样，他赢得了人们的爱戴和尊敬。
王守武先生心胸开阔，克己奉公，严于律己，宽厚待人，对党、对国家、对人民忠心耿耿。他用无私的奉献书写了精彩的人生，为我们树立了光辉的榜样。他的一生是为科学事业不懈奋斗的一生，他的逝世是科学界的巨大损失。
王守武是我国著名的半导体器件物理学家和微电子科学家。中国第一个半导体实验室、半导体器件厂、半导体研究所、国家半导体测试中心的创始人。
性格影响
2006年6月165438+10月，王守武夫妇捐资4万元，在湖北省鄂州市林泽高级中学设立“英才奖学金”，奖励成绩优异、家庭贫困的学生。