丽晶半导体有限公司的历史沿革

1994 65438+2月丽晶半导体有限公司成立。

1995年3月八寸晶圆厂(8A厂)奠基仪式。

1996 4月8A工厂正式开业。

65438+10月8A厂开始量产0.40微米16Mb DRAM/SDRAM。

1997 12于2月获得ISO 9002国际质量保证体系认证证书。

1998 2月8A工厂量产0.30μ m 64Mb DRAM/SDRAM。

今年3月,该公司股票作为科技股正式在场外市场上市。

7月成功切入OEM服务领域,首个美国OEM客户的产品成功试产。

2月,65438获得ISO 14001国际环境管理体系认证证书。

6月1999与世界先进国家和三菱电机签署战略联盟合作备忘录,形成联盟关系。

165438+10月发行第一批海外存托凭证,总金额288,900,000美元。

2000年7月,第一家12英寸晶圆厂(P1工厂)举行奠基仪式。

2001年5月发行第一期公司债券(含境外公司债券),总额200,000,000美元。

9月获经济部工业局举办的第十二届“优秀案例奖”。

2002年6月,通过了OHSAS 18001职业安全健康评价系列认证。

165438+第一家12英寸晶圆厂(Fab p 1)10月正式投入量产。

065438-2003年10月,谢在举博士接任总经理,肩负运营重任。

8月,力晶正式与日本尔必达公司签订0.10和0.09微米技术转让合同。

65438+10月第二家12英寸晶圆厂(P2工厂)奠基仪式。

2004年4月,丽晶12寸晶圆厂代工业务正式投产。

9月,丽景职工诊所开业。

2005年065438+10月获得ISO/TS 16949证书。

3月,P2工厂正式开业。

5月,力晶开始在一家12英寸晶圆厂生产高容量闪存。

065438+2006年10月,我们与王鸿达成协议,购买一家晶圆厂,并将其命名为12M工厂。

今年2月,我们与瑞萨达成了AG-和闪存技术许可协议。

65438+2月与尔必达签署合作备忘录,成立合资公司,以4500亿新台币在台湾中部省建设全球最大的12英寸晶圆DRAM工厂;双方还决定共同开发50纳米DRAM工艺技术。

2007年6月丽晶R&D考试中心奠基仪式。

5438年6月+10月,与尔必达合资的瑞晶电子公司第一家12寸晶圆厂(R1厂)开业。

2008年4月,8A厂成为独立的巨晶电子公司。

4月,与日本商人瑞萨、夏普合资成立瑞萨SP公司,拓展液晶驱动芯片市场。

4月,第四/第五家12英寸晶圆厂(P4/P5厂)破土动工。