北京国晶辉红外光学技术有限公司的发展历程

◇1956年6月，我国第一个金属锗研制成功。填补了我国锗的空白。

◇1958年6月，我国第一颗锗单晶研制成功，从原料到单晶。

◇成分均匀可控的1960锗晶粒合金球研制成功。

◇ 1964中国第一个高纯锗车间建成。国内形成第一批高纯锗生产能力；用提拉法制备了各种规格的掺金锗单晶。

◇锂补偿探测器用直径50mm-60mm的1966锗单晶研制成功，达到国际同类产品水平。

◇ 1973，我国首台平面高纯锗核探测器研制成功，能量分辨率接近国际同类产品水平。

◇ 1977建成国内首条光纤用四氯化锗生产线。

◇红外用1979锗单晶研制成功，直径280mm，达到国际先进水平并出口。◇ 1983整个锗制备研究组更名为北京有色金属研究院红外材料研究所。成立冶金系统半导体锗材料测试中心，负责起草锗产品及测试方法和国家行业标准12。

◇ 1985羟基钴锗倍半氧化物(Ge-132)产品质量达到日本同类产品水平。

◇ 1989光纤用四氯化锗获中国有色金属工业总公司科技进步三等奖。

◇ 1992成功研制出1-15μm波段的硫系含锗玻璃，达到国际水平。

◇ 1994红外用大直径模压多晶锗获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖；有机锗(Be-132)通过中国有色金属工业总公司科技成果鉴定。2000年6月，转制为北京国晶辉红外光学技术有限公司..

◇2002年，我国第一颗12英寸锗单晶研制成功；承担了国家计委批准的新一代光纤用高纯四氯化锗国家高技术产业化示范项目，并成功研发&；Oslash180mmCVDZnS .

◇2003年，CVD ZnS研制成功，并建成生产线。

◇2004年，红外光学镀膜技术研发成功。

◇2005年，新建的300m2厂房竣工。产品已通过ISO 9000质量体系认证。

◇2006年扩建GeCl4生产线，产能达到40吨/年。