DRAM tWR在BIOS中调整内存延迟的意义是什么？
参考资料:
记忆计时
通常存储在记忆棒的SPD上的参数。2-2-2-8四个数字的含义是:CAS潜伏期(简称CL值)，是记忆的重要参数之一。某些品牌的内存会在内存条的标签上打印CL值。Ras到cas延迟(TRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。行预充电延迟(Trp)，存储器行地址选通cas延迟。行激活延迟(tras)，存储器行地址选通延迟。这是玩家最关心的四个时序调整，大部分主板的BIOS中都可以设置。内存模块制造商还计划推出低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。在相同的频率设置下，“2-2-2-5”最低顺序的内存条确实可以带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3到5个百分点之间。
在一些技术文章中介绍内存设置的定时参数时，一般数字“A-B-C-D”对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。现在你明白“2336”是什么意思了吧？！_以下是对这些参数以及BIOS设置中影响内存性能的其他参数的介绍:
一、记忆延时顺序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先你需要打开BIOS中的手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM时序可选”。BIOS设置中可能出现的其他描述有:自动配置、DRAM自动、时序可选、SPD时序配置等。将其值设置为“Menual”(开/关或启用/禁用，取决于BIOS)。如果要调整内存定时，应该先打开手动设置，然后会自动出现定时参数的详细列表:
每时钟命令(CPC)
可选设置:自动、启用(1T)和禁用(2T)。
每时钟命令(CPC:指令比，也翻译为:第一命令延迟)一般被描述为DRAM命令速率、CMD速率等。因为目前DDR内存的寻址，首先要选择P-Bank(通过DIMM上的CS片选信号)，然后是L-Bank/ row激活和列地址选择。该参数的含义是指在P-Bank被选中后，发出一个特定寻址的L-Bank/ line激活命令需要多长时间，单位为时钟周期。
显然，越短越好。但随着主板内存模块的增加，控制芯片组的负载也随之增加，命令间隔过短可能会影响稳定性。所以，当你的内存插了很多，出现不稳定的时候，你就需要把这个参数调整的更久。目前大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值是Disable(2T)。如果玩家的内存质量好，可以设置为Enable(1T)。
CAS延迟控制(tCL)
可选设置:自动，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查找内存的时序参数时，比如“3-4-4-8”数字序列，上述数字序列对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是1参数，也就是CL参数。
CAS延迟控制(也称为tCL、CL、CAS延迟时间、CASTING Delay)，CAS延迟是“地址控制器在存储器读写操作之前的延迟”。CAS控制从接受指令到执行指令的时间。因为CAS主要控制的是十六进制地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以是最重要的参数，在稳定的前提下应该设置的尽量低。
根据行和列来寻址存储器。当请求被触发时，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电结束后，存储器才真正开始初始化RAS。tRAS激活后，RAS(行地址选通)开始寻址所需的数据。首先是行地址，然后tRCD被初始化，循环结束，然后通过CAS访问所需数据的确切十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的时间是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一步，也是最重要的内存参数。
该参数控制在接收到数据读取指令后，在实际执行该指令之前，存储器必须等待多少个时钟周期。同时，该参数还决定了在存储器突发传输过程中完成第一部分传输所需的时钟周期数。这个参数越小，记忆速度越快。必须注意的是，有些内存无法以低延迟运行，数据可能会丢失。所以在提醒大家将CAS延迟设置为2或2.5的同时，如果不稳定，只能进一步改进。而且增加延迟可以让内存以更高的频率运行，所以在需要超频内存的时候，应该尽量增加CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大。在保证系统稳定的前提下，CAS值越低，内存读写操作会越快。CL值为2将获得最佳性能，而CL值为3将提高系统的稳定性。请注意，WinbondBH-5/6芯片不能设置为3。
RAS#到CAS#延迟(tRCD)
可选设置:自动，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值是“3-4-4-8”内存计时参数中的第二个参数，即第65438个+第0个4。RAS#到CAS# Delay(也称为tRCD，RAS到CAS Delay，Active到CMD)代表“从行寻址到列寻址的延迟时间”，值越小性能越好。当读、写或刷新存储器时，有必要在这两个脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是第二个参数。减少这种延迟可以提高系统性能。建议将该值设置为3或2，但如果该值设置过低，也会导致系统不稳定。当取值为4时，系统将处于最稳定状态，而取值为5，则过于保守。
如果你的内存超频性能很差，可以将这个值设置为你的内存默认值或者尝试增加tRCD值。
最小RAS#活动计时(tRAS)
可选设置:自动，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13。
该值表示该值是“3-4-4-8”内存计时参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time(也称为tRAS，Active to Precharge Delay，Row Active Time，Precharge Wait State，Row Active Delay，Row Precharge Delay，RAS Active Time)，它的意思是“从存储行有效到预充电的最短周期”。根据具体情况调整该参数。一般我们最好设置在5-10之间。这个参数要看实际情况，并不是越大越小越好。
如果tRAS的周期太长，系统的性能会因为不必要的等待而降低。减少tRAS周期将导致激活的行地址更早进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，数据的突发传输可能由于缺少足够的时间而无法完成，这可能导致数据丢失或数据损坏。该值通常设置为CAS延迟+tRCD+2个时钟周期。如果CAS延迟值为2，tRCD值为3，则最佳tRAS值应设置为7个时钟周期。为了提高系统性能，应该尽可能减小tRAS的值，但在出现内存错误或系统崩溃的情况下，应该增大tRAS的值。
如果使用DFI主板，tRAS值建议为00，或5-10之间的值。
行预充电时序(tRP)
可选设置:自动，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值是“3-4-4-8”内存定时参数中的第三个参数，即第二个4。行预充电定时(也称为tRP、RAS预充电、预充电到激活)代表“存储器行地址控制器cas延迟”。预充电参数越小，存储器读写速度越快。
TRP用于设置RAS在激活另一条线路之前所需的充电时间。将tRP参数设置得太长会导致所有行的激活延迟太长，将其设置为2会减少cas延迟并更快地激活下一行。但是，将tRP设置为2对于大多数存储器来说是很高的要求，这可能导致行激活之前的数据丢失，并且存储器控制器不能成功地完成读写操作。对于台式计算机，建议将预充电参数的值设置为2个时钟周期，这是最佳设置。如果低于这个值，每次激活相邻存储体需要1个时钟周期，会影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。仅当tRP值为2且系统不稳定时，将该值设置为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，tRP值建议在2到5之间。值为2将获得最高的性能，值为4将在超频时获得最佳的稳定性，值为5则过于保守。大部分内存无法使用2的数值，需要超频才能达到这个参数。
行周期时间(tRC)
可选设置:自动，7-22，步幅值1。
行周期时间(tRC，RC)代表“SDRAM行周期时间”，它是包括预充电到激活行单元的整个过程所需的最小时钟周期数。
计算公式为:行周期时间(TRC) =最小行活动时间(TRAS)+行预充电时间(Trp)。所以在设置这个参数之前，你要知道你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间太长，会因为在完成整个时钟周期后激活新地址而等待不必要的延迟，从而降低性能。那么一旦该值被设置得太小，在被激活的行单元被完全充电之前，新的周期可以被初始化。
在这种情况下，仍然会导致数据丢失和损坏。所以最好按照tRC = tRAS+tRP来设置。如果内存模块的tRAS值是7个时钟周期，tRP值是4个时钟周期，那么理想的tRC值应该设置为11个时钟周期。
行刷新周期时间(tRFC)
可选设置:自动，9-24，步幅值1。
行刷新周期时间(tRFC，RFC)代表“SDRAM行刷新周期时间”，即刷新行单元所需的时钟周期数。该值还指示向同一存储体中的另一行单元发送两次刷新指令(即REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好。它略高于时间报告代码值。
如果用DFI的主板，tRFC的数值达不到9，10是最佳设置，17-19是内存超频的推荐值。建议从17开始递减测试该值。最稳定的值是tRC加2-4个时钟周期。
行到行延迟(RAS到RAS延迟)(tRRD)
可选设置:自动，0-7，每级递增1。
行到行延迟，也称为RAS到RAS延迟(tRRD)，代表“从行单元到行单元的延迟”。该值还指示向同一存储体中的同一行单元发送激活指令(即REF指令)两次之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
延迟越低，下一个存储体被激活进行读写的速度就越快。但是因为需要一定的数据量，所以延迟太短会造成数据持续膨胀。对于台式电脑，建议将tRRD值设置为2个时钟周期，这是最佳设置，此时的数据扩展可以忽略。如果低于这个值，每次激活相邻存储体需要1个时钟周期，会影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。仅当tRRD值为2且系统不稳定时，将该值设置为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，00的tRRD值是最好的性能参数，内存超频4可以达到最高频率。通常2是最合适的值，00看起来很奇怪，但是有人可以在00-260MHz稳定运行。
写恢复时间(tWR)
可选设置:自动，2，3。
写恢复时间(tWD)，意思是“写恢复延迟”。该值指示在有效的写操作和预充电可以在活动存储体中完成之前必须等待多少时钟周期。这个必要的时钟周期用于确保写缓冲器中的数据可以在预充电发生之前被写入存储单元。同样，太低的tWD提高了系统性能，但是它可能导致在数据被正确写入存储单元之前的预充电操作，这将导致数据的丢失和损坏。
如果使用的是DDR200和266内存，建议将tWR值设置为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI主板，tWR值建议为2。
写入读取延迟(tWTR)
可选设置:自动，1，2。
写至读延迟(tWTR)是指“读至写延迟”。三星称之为“TCDLR(读取命令中的最后一个数据)”，即最后一个数据进入读取命令。它设置DDR存储器模块中同一单元的上一次有效写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
TWTR值为2，这降低了高时钟频率下的读取性能，但提高了系统稳定性。在这种情况下，也使得存储芯片高速运行。换句话说，增加tWTR值可以使内容模块以比其默认速度更快的速度运行。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设置为1；如果使用DDR400，也可以尝试将tWTR的值设置为1，如果系统不稳定就改成2。
刷新周期
可选设置:自动，0032-4708，步长值不固定。
刷新周期(tREF)是指“刷新周期”。它指的是内存模块的刷新周期。
请看同一内存中不同参数对应的刷新周期(单位:微秒，即百万分之一秒)。？此处的数字表示该刷新周期没有对应的准确数据。
1552= 100mhz(？。？s)
2064= 133mhz(？。？s)
2592= 166mhz(？。？s)
3120= 200mhz(？。？s)
-
3632= 100mhz(？。？s)
4128= 133mhz(？。？s)
4672= 166mhz(？。？s)
0064= 200mhz(？。？s)
-
0776= 100mhz(？。？s)
1032= 133mhz(？。？s)
1296= 166mhz(？。？s)
1560= 200mhz(？。？s)
-
1816= 100mhz(？。？s)
2064= 133mhz(？。？s)
2336= 166mhz(？。？s)
0032= 200mhz(？。？s)
-
0388= 100mhz(15.6us)
0516 = 133 MHz(15.6 us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
-
0908 = 100兆赫(7.8美国)
1032 = 133兆赫(7.8美国)
1168 = 166兆赫(7.8美国)
0016= 200mhz(7.8us)
-
1536 = 100兆赫(3.9美国)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
-
3684= 100mhz(1.95us)
4196 = 133 MHz(1.95 us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用自动选项，主板BIOS将查询内存中一个名为“SPD”(串行存在检测)的非常小的芯片。SPD存储了存储器的各种相关工作参数，系统会根据SPD中数据最保守的设置自动确定存储器的工作参数。如果要追求最佳性能，需要手动设置刷新周期的参数。一般来说，15.6us适合基于128兆内存芯片的内存(即单个容量为16MB的内存)，7.8us适合基于256兆内存芯片的内存(即单个容量为32MB的内存)。注意，如果tREF刷新周期设置不当，存储单元将丢失其数据。
另外，根据其他数据，内存中存储的每一位都需要定期刷新才能充电。不及时充电会导致数据丢失。DRAM其实就是一个电容，最小的存储单位是位。阵列中的每一位都可以被随机访问。但如果不收费，数据只能保存很短时间。所以我们必须每15.6us刷新一行，每次刷新都要重写数据。正是因为这个原因，DRAM也被称为非永久性存储器。一般采用同步的仅RAS刷新方式(行刷新)依次刷新每一行。早期刷新一行江户内存需要15.6us。因此，2Kb内存的每列刷新时间为15.6？S x2048 line =32ms。
如果你使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个准确的值。一般15.6us和3.9us可以稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量好，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(？。？s)，将获得最佳的性能/稳定性比。
写CAS#延迟(tWCL)
可选设置:自动，1-8。
写CAS延迟(tWCL)，意思是“写指令到行地址控制器的延迟”。SDRAM存储器是随机访问的，这意味着存储器控制器可以将数据写入任何物理地址。在大多数情况下，数据通常被写入最接近当前列地址的页面。TWCL表示写入的延迟，DDRII除外，一般可以设置为1T。这个参数是相对于大家熟悉的tCL(CAS-Latency)而言的，tCL表示读取的延迟。
DRAM存储体交叉存取
可选设置:启用，禁用。
DRAM存储体交错，意思是“DRAM存储体交错”。此设置用于控制是否启用内存交叉存取模式。交错模式允许存储体改变刷新和访问周期。当一家银行正在刷新时，另一家银行可能正在访问。最近的实验表明，所有存储体的刷新周期是交错的，这将产生流水线效应。
虽然交叉存取模式只在不同存储体进行连续寻址请求时才起作用，但如果在同一个存储体中，数据处理与不打开交叉存取是一样的。在发送另一个地址之前，CPU必须等待第一个数据处理完成和存储体刷新。目前所有内存都支持交错模式，如果可能的话我们建议开启这个功能。
对于DFI主板，这个设置应该在任何情况下启用，这可以增加内存的带宽。禁用配对会减少内存的带宽，但会使系统更加稳定。
DQS偏斜控制
可选设置:自动、增加倾斜、减少倾斜。
DQS时滞控制代表“DQS时差控制”。稳定的电压可以使存储器达到较高的频率，电压波动会造成较大的偏斜，加强控制力可以减少偏斜，但在对应的DQS(数据控制信号)的上升沿和下降沿电压会过高或过低。另一个问题是高频信号将导致跟踪延迟。DDR存储器的解决方案是通过简单的数据选通来增加时钟提前量。
DDRII引入了更先进的技术:双向差分I/O缓冲区，形成DQS。差分是指用一个简单的脉冲信号和一个参考点来测量信号，而不是相互比较信号。理论上，上升和下降信号应该是完全成对的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐会产生DQ-DQS偏斜。
如下图所示。
对于DFI主板，建议增加偏斜可以提高性能，而减少偏斜可以增加稳定性，但会牺牲一定的性能。
DQS偏斜值
可选设置:自动，0-255，步长值为1。
当我们打开DQS偏斜控制时，该选项用于设置增加或减少的值。这个参数对系统的影响不是很敏感。对于DFI主板，打开“增加偏斜”选项后，可以将该值设置为50到255之间的值。值越高，速度越快。
DRAM驱动强度
可选设置:自动，1-8，步长值为1。
DRAM驱动强度(也称为:驱动强度)代表“DRAM驱动强度”。该参数用于控制存储器数据总线的信号强度。该值越高，信号强度越高。增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是，信号强度高不一定好。三星的TCCD存储芯片在低信号强度下有更好的性能。
如果设置为自动，系统通常会设置为较低的值。对于使用TCCD的芯片，性能会更好。但其他内存条就不是这样了。根据在DFI NF4主板上的调试测试结果，1，3，5，7都是弱参数，其中1最弱。2、4、6和8是正常设置，8提供最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设置为6或8。
DFI用户建议设置:TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片内存建议为6或8。
DRAM数据驱动强度
可选设置:自动，1-4，步长值为1。
DRAM数据驱动强度代表“DRAM数据驱动强度”。该参数决定了存储器数据总线的信号强度，值越大，信号强度越高。主要用于增加DRAM在处理高负载内存读取时的控制能力。因此，如果系统内存的读取负载很高，应该将该值设置为Hi/High。它有助于超频内存数据总线。但如果不超频，提高内存数据线的信号强度可以提高超频后速度的稳定性。此外，提高内存数据总线的信号强度并不能提高SDRAM DIMM的性能。因此，除非您在内存中有很高的读取负载，或者试图超频DIMM，否则建议将DRAM数据驱动强度的值设置为低(Lo/Low)。
要处理繁重的数据流，需要提高内存控制能力。您可以将其设置为Hi或High。超频时，提高这个参数可以提高稳定性。此外，该参数对内存性能的影响很小。所以除非超频，一般用户建议设置为Lo/Low。
DFI用户建议设置:普通用户建议使用1或3级。如果CPC打开，任何高于1的参数都可能不稳定。有些用户打开CPC后可以在3中运行。更多人关掉CPC后，2-4就能稳定运行了。当然，最理想的参数是开启CPC，设置为level4。
强度最大异步延迟
可选设置:自动，0-15，步长值为1。
Strength Max Async Latency目前未能找到关于该参数的任何解释，其功能未知。感受一下网友的体验，我们在进行珠峰最晚测试的时候，可以看到一些不同。在我的BH-6上，8ns到7ns的参数在潜伏期测试的测试结果中相差1ns。6ns从7ns降低后，测试结果减少2ns。
DFI主板推荐设置:BIOS中默认值为7ns，建议您在5-10之间调整。6ns需要更高的内存。建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但是不适合TCCD。7ns的要求更低，设置UTT和BH-5为7n更适合超频。8ns对于UTT和BH-5来说是小菜一碟。8ns时，TCCD通常可以在DDR600中稳定运行。如果要超频到DDR640，必须设置到9ns甚至更高。
读取前同步码时间
可选设置:自动，2.0-9.5，步长值为0.5。
参数Read Preamble Time表示DQS(数据控制信号)返回和DQS再次开启的时间间隔。三星早期的内存数据显示，该参数用于提高性能。DQS信号是双向的，它从图形控制器到DDR SGRAM或从DDR SGRAM到图形控制器。
DFI主板推荐设置:当BIOS中该值设置为Auto时，实际上是默认值5.0。建议你在4.0-7.0之间调整，数值越小越好。
怠速循环极限
可选设置:自动，0-256，无固定步长值。
参数“怠速循环极限”表示“怠速循环极限”。此参数指定强制关闭打开的内存页之前的memclock值，即在读取内存页之前强制对其重新充电所允许的最长时间。
DFI主板推荐设置:当BIOS中该值设置为Auto时，此时实际执行默认值256。质量好的内存试试16-32，华邦BH-5产品可以稳定运行在16。怠速极限值越低越好。
动态计数器
可选设置:自动、启用和禁用。
参数动态计数器代表“动态计数器”。此参数指定动态空闲周期计数器是打开还是关闭。如果选择Enable，则每次进入内存页表时，空闲周期限制的值将根据页冲突和页未命中之间的流量比(PC/PM)进行动态调整。该参数与之前的怠速周期限制密切相关。启用时，它将屏蔽当前空闲周期限制，并根据冲突的发生动态调整它。
DFI主板推荐设置:BIOS中该值设置为Auto和off，与的相同。打开此设置可以提高性能，而关闭此设置可以使系统更稳定。
读/写队列旁路
可选设置:自动、2x、4x、8x、16x。
读/写队列旁路代表“忽略读/写队列”。此参数指定在重写优化程序并选择DCI(设备控制接口)的最后一个操作之前，忽略DCI的读/写队列的时间。除了优化器会影响内存中的读/写队列之外，该参数类似于前面的空闲周期限制。
DFI主板推荐设置:BIOS中默认值为16x。如果您的系统稳定，请保持这个值。但如果不稳定，或者超频，只会降到4x或者2x甚至更低。值越大，系统性能越强，值越小，系统越稳定。
旁路最大值
可选设置:自动，0x-7x，步长值为1。
Bypass Max代表“最大忽略时间”。该参数表示在选择否决之前，优化程序最终进入DCQ(依赖链队列)时可以忽略的时间。经过仔细研究，我认为这个参数会影响内存和CPU内存控制器的连接。
DFI主板推荐设置:BIOS中默认值为7x。建议采用4x或7x，这两种方式都能提供良好的性能和稳定性。如果您的系统稳定，请保持这个值。但如果不稳定，或者超频，只会降到4x或者2x甚至更低。值越大，系统性能越强，值越小，系统越稳定。
32字节粒度
可选设置:自动、禁用(8脉冲)和启用(4脉冲)。
32字节粒度意味着“32位粒度”。当该参数设置为禁用时，可以选择突发计数器，并且在32位数据访问的情况下可以优化数据总线带宽。因此，关闭该参数后可以获得最佳性能。
DFI主板推荐设置:在大多数情况下，建议选择禁用(8连发)选项。开启Enable (4burst)可以让系统更加稳定。